Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTP32P20T
Изображение служит лишь для справки
IXTP32P20T
Lagernummer 282
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Евро РОШ:Compliant
- ЭККН (США):EAR99
- HTS:8541.29.00.95
- Автомобильные:No
- Пакет подготовки для производства:No
- Категория:Power MOSFET
- Технология производства:TrenchP
- Режим канала:Enhancement
- Число элементов на чипе:1
- Максимальное напряжение источника тока (В):200
- Максимальное напряжение источника транзистора (В):±15
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В):4
- Максимальный непрерывный ток утечки (А):32
- Максимальный стоковый ток через затвор (нА):100
- Максимальный стоковый ток (мкА):25
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ):14500@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт):300000
- Время падения типового (ns):12
- Время подъема типового сигнала (нс):15
- Время задержки отключения типовая (сек):57
- Время задержки включения типового (ns):32
- Минимальная температура работы (°C):-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C):150
- Монтаж:Through Hole
- Высота корпуса:9.15(Max)
- Ширина пакета:4.83(Max)
- Длина корпуса:10.66(Max)
- Плата изменена:3
- Tab:Tab
- Поставщикская упаковка:TO-220AB
- MSL:-
- Квалификация:-
- Прямоходящий ток вывода Id:32A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:200 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:4 V
- Распад мощности:300 W
- Полярность транзистора:P-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 15 V, + 15 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:Through Hole
- Зарядная характеристика ворот:185 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:130 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:32 A
- Состояние изделия:Active
- Технология:Si
- Число контактов:3
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:300W
- Канальный тип:P
Со склада 282
Итого $0.00000