(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTT90P10P
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 240
- 1+： $11.69284
- 10+： $11.03098
- 100+： $10.40658
- 500+： $9.81753
- 1000+： $9.26182
Zwischensummenbetrag $11.69284
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- СВХК：Yes
- Превышает Порог SVHC：Yes
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：100
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：90
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：120@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：120
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：5800@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：462000
- Время падения типового (ns)：32
- Время подъема типового сигнала (нс)：77
- Время задержки отключения типовая (сек)：54
- Время задержки включения типового (ns)：25
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：5.1(Max)
- Ширина пакета：14(Max)
- Длина корпуса：16.05(Max)
- Плата изменена：2
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-268
- Непрерывный ток стока：90(A)
- Дrain-Source On-Volt：100(V)
- Классификация Температурной Выносливости：Military
- Формат упаковки：TO-268
- Диапазон рабочей температуры：-55C to 150C
- Допустимый напряжений на затвор-исток：±20(V)
- Количество элементов：1
- Квантовозащитный：No
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：90A
- Состояние изделия：Active
- Тип：Power MOSFET
- Число контактов：3
- Направленность：P
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：462(W)
- Канальный тип：P
Со склада 240
- 1+： $11.69284
- 10+： $11.03098
- 100+： $10.40658
- 500+： $9.81753
- 1000+： $9.26182
Итого $11.69284
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
