(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFX100N65X2
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 427
- 1+： $14.19689
- 10+： $13.39329
- 100+： $12.63518
- 500+： $11.91998
- 1000+： $11.24526
Zwischensummenbetrag $14.19689
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- СВХК：Yes
- Превышает Порог SVHC：Yes
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：650
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±30
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В)：5
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：100
- Максимальный стоковый ток через затвор (нА)：100
- Максимальный стоковый ток (мкА)：50
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：183@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：183
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：10800@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：1040000
- Время падения типового (ns)：13
- Время подъема типового сигнала (нс)：26
- Время задержки отключения типовая (сек)：90
- Время задержки включения типового (ns)：37
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：21.34(Max)
- Ширина пакета：5.21(Max)
- Длина корпуса：16.13(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：PLUS 247
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：100A
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：1.04kW
- Канальный тип：N
Со склада 427
- 1+： $14.19689
- 10+： $13.39329
- 100+： $12.63518
- 500+： $11.91998
- 1000+： $11.24526
Итого $14.19689
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
