(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTN110N20L2
Изображение служит лишь для справки
IXTN110N20L2
Lagernummer 398
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SOT-227-4
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：200
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：100
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：500@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：500
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：23000@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：735000
- Время падения типового (ns)：135
- Время подъема типового сигнала (нс)：100
- Время задержки отключения типовая (сек)：33
- Время задержки включения типового (ns)：40
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Screw
- Ширина пакета：25.42(Max)
- Длина корпуса：38.23(Max)
- Плата изменена：4
- Поставщикская упаковка：SOT-227B
- Прямоходящий ток вывода Id：100A
- Обратное напряжение：100 V
- Время типичного задержки включения：40 ns
- Распад мощности：735 W
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：Chassis Mount
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：24 mOhms
- Время задержки отключения типичного：33 ns
- Состояние изделия：Active
- Тип：Linear Power MOSFET
- Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
- Технология：Si
- Число контактов：4
- Конфигурация：Single Dual Source
- Распад мощности：735W
- Время подъема：100 ns
- Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
- Канальный тип：N
- Продукт：Power MOSFET Modules
Со склада 398
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
