(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTQ44P15T
Изображение служит лишь для справки
IXTQ44P15T
Lagernummer 388
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-3P-3
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：TrenchP
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：150
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±15
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：44
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：175@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：175
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：13400@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：298000
- Время падения типового (ns)：17
- Время подъема типового сигнала (нс)：42
- Время задержки отключения типовая (сек)：50
- Время задержки включения типового (ns)：25
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Ширина пакета：4.9(Max)
- Длина корпуса：15.8(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Стандартное наименование упаковки：TO-3P
- Поставщикская упаковка：TO-3P
- Форма вывода：Through Hole
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：150 V
- Полярность транзистора：P-Channel
- Монтажные варианты：Through Hole
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：65 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：44 A
- Серия：IXTQ44P15
- Состояние изделия：Active
- Технология：Si
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Канальный тип：P
Со склада 388
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
