(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTP02N50D
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Материал：Si
- Евро РОШ：Compliant
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Depletion
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：500
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：0.2
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：120@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：1100
- Время падения типового (ns)：45
- Время подъема типового сигнала (нс)：4
- Время задержки отключения типовая (сек)：28
- Время задержки включения типового (ns)：9
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：9.15(Max)
- Ширина пакета：4.83(Max)
- Длина корпуса：10.66(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-220AD
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
