(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы VKM60-01P1
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Supplier Unconfirmed
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：Unknown
- Пакет подготовки для производства：Unknown
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：HiperFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：4
- Максимальное напряжение источника тока (В)：100
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：75
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：180@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：180
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：4500@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：300000
- Время падения типового (ns)：60
- Время подъема типового сигнала (нс)：60
- Время задержки отключения типовая (сек)：80
- Время задержки включения типового (ns)：20
- Минимальная температура работы (°C)：-40
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Screw
- Высота корпуса：8
- Ширина пакета：34.3
- Длина корпуса：51
- Плата изменена：13
- Поставщикская упаковка：ECO-PAC 2
- Состояние изделия：Obsolete
- Число контактов：13
- Конфигурация：Quad
- Канальный тип：N
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
