(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTK180N15P
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 175
- 1+： $12.49849
- 10+： $11.79102
- 100+： $11.12361
- 500+： $10.49397
- 1000+： $9.89997
Zwischensummenbetrag $12.49849
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：PolarHT
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：150
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：180
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：240@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：240
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：7000@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：800000
- Время падения типового (ns)：36
- Время подъема типового сигнала (нс)：32
- Время задержки отключения типовая (сек)：150
- Время задержки включения типового (ns)：30
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：175
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：26.16(Max)
- Ширина пакета：5.13(Max)
- Длина корпуса：19.96(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-264AA
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 175
- 1+： $12.49849
- 10+： $11.79102
- 100+： $11.12361
- 500+： $10.49397
- 1000+： $9.89997
Итого $12.49849
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
