(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTQ36N30P
Изображение служит лишь для справки
IXTQ36N30P
Lagernummer 226
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-3P-3
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：300
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±30
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：36
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：70@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：70
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：2250@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：300000
- Время падения типового (ns)：28
- Время подъема типового сигнала (нс)：30
- Время задержки отключения типовая (сек)：97
- Время задержки включения типового (ns)：24
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Ширина пакета：4.9(Max)
- Длина корпуса：15.8(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Стандартное наименование упаковки：TO-3P
- Поставщикская упаковка：TO-3P
- Форма вывода：Through Hole
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：300 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
- Распад мощности：300 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：Through Hole
- Зарядная характеристика ворот：70 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：110 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：36 A
- Состояние изделия：Active
- Технология：Si
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Канальный тип：N
Со склада 226
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
