Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы GRP-DATA-JANSR2N7380U3
Изображение служит лишь для справки
GRP-DATA-JANSR2N7380U3
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- ЭККН (США):EAR99
- Автомобильные:No
- Пакет подготовки для производства:No
- Категория:Power MOSFET
- Режим канала:Enhancement
- Число элементов на чипе:1
- Максимальное напряжение источника тока (В):100
- Максимальное напряжение источника транзистора (В):±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А):14.4
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC):40(Max)@12V
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ):960@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт):75000
- Время падения типового (ns):30(Max)
- Время подъема типового сигнала (нс):75(Max)
- Время задержки отключения типовая (сек):70(Max)
- Время задержки включения типового (ns):35(Max)
- Минимальная температура работы (°C):-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C):150
- Монтаж:Surface Mount
- Высота корпуса:2.61(Max)
- Ширина пакета:10.28(Max)
- Длина корпуса:7.64(Max)
- Плата изменена:3
- Поставщикская упаковка:SMD-0.5
- Состояние изделия:Active
- Число контактов:3
- Конфигурация:Single
- Канальный тип:N
Со склада 0
Итого $0.00000