Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTK110N20L2
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 449
- 1+: $26.28892
- 10+: $24.80087
- 100+: $23.39704
- 500+: $22.07268
- 1000+: $20.82329
Zwischensummenbetrag $26.28892
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ:Compliant with Exemption
- ЭККН (США):EAR99
- HTS:8541.29.00.95
- Автомобильные:No
- Пакет подготовки для производства:No
- Категория:Power MOSFET
- Режим канала:Enhancement
- Число элементов на чипе:1
- Максимальное напряжение источника тока (В):200
- Максимальное напряжение источника транзистора (В):±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А):110
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC):500@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк):500
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ):23000@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт):960000
- Время падения типового (ns):135
- Время подъема типового сигнала (нс):100
- Время задержки отключения типовая (сек):33
- Время задержки включения типового (ns):40
- Минимальная температура работы (°C):-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C):150
- Монтаж:Through Hole
- Высота корпуса:26.16(Max)
- Ширина пакета:5.13(Max)
- Длина корпуса:19.96(Max)
- Плата изменена:3
- Tab:Tab
- Поставщикская упаковка:TO-264
- MSL:-
- Квалификация:-
- Прямоходящий ток вывода Id:110A
- Состояние изделия:Active
- Число контактов:3
- Конфигурация:Single
- Распад мощности:960W
- Канальный тип:N
Со склада 449
- 1+: $26.28892
- 10+: $24.80087
- 100+: $23.39704
- 500+: $22.07268
- 1000+: $20.82329
Итого $26.28892