(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFK27N80Q
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 162
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：HiperFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：800
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：27
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：170@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：170
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：7600@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：500000
- Время падения типового (ns)：13
- Время подъема типового сигнала (нс)：28
- Время задержки отключения типовая (сек)：50
- Время задержки включения типового (ns)：20
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：26.16(Max)
- Ширина пакета：5.13(Max)
- Длина корпуса：19.96(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-264AA
- Состояние изделия：NRND
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 162
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
