(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFN230N20T
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 689
- 1+： $27.51554
- 10+： $25.95806
- 100+： $24.48873
- 500+： $23.10258
- 1000+： $21.79488
Zwischensummenbetrag $27.51554
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：200
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：220
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：358@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：358
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：24000@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：1090000
- Время падения типового (ns)：17
- Время подъема типового сигнала (нс)：38
- Время задержки отключения типовая (сек)：62
- Время задержки включения типового (ns)：58
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：175
- Монтаж：Screw
- Высота корпуса：9.6(Max)
- Ширина пакета：25.42(Max)
- Длина корпуса：38.23(Max)
- Плата изменена：4
- Стандартное наименование упаковки：SOT
- Поставщикская упаковка：SOT-227B
- Форма вывода：Screw
- Прямоходящий ток вывода Id：220A
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：4
- Конфигурация：Single Dual Source
- Распад мощности：1.09kW
- Канальный тип：N
Со склада 689
- 1+： $27.51554
- 10+： $25.95806
- 100+： $24.48873
- 500+： $23.10258
- 1000+： $21.79488
Итого $27.51554
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
