(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTN170P10P
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 268
- 1+： $26.53569
- 10+： $25.03367
- 100+： $23.61667
- 500+： $22.27988
- 1000+： $21.01876
Zwischensummenbetrag $26.53569
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：100
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：170
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：240@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：240
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：12600@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：890000
- Время падения типового (ns)：45
- Время подъема типового сигнала (нс)：75
- Время задержки отключения типовая (сек)：82
- Время задержки включения типового (ns)：32
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Screw
- Ширина пакета：25.42(Max)
- Длина корпуса：38.23(Max)
- Плата изменена：4
- Поставщикская упаковка：SOT-227B
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：170A
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：4
- Конфигурация：Single Dual Source
- Распад мощности：890W
- Канальный тип：P
Со склада 268
- 1+： $26.53569
- 10+： $25.03367
- 100+： $23.61667
- 500+： $22.27988
- 1000+： $21.01876
Итого $26.53569
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
