(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTP110N055T2
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 388
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant
- Автомобильные：Unknown
- Пакет подготовки для производства：Unknown
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：TrenchT2
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：55
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：110
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：57@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：57
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：3060@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：180000
- Время падения типового (ns)：23
- Время подъема типового сигнала (нс)：25
- Время задержки отключения типовая (сек)：40
- Время задержки включения типового (ns)：18
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：175
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：9.15(Max)
- Ширина пакета：4.83(Max)
- Длина корпуса：10.66(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-220
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 388
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
