(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFJ26N50P3
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 57
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Материал：Si
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：HiperFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：500
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±30
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В)：5
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：14
- Максимальный стоковый ток через затвор (нА)：100
- Максимальный стоковый ток (мкА)：25
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：42@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：42
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：2220@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：180000
- Время падения типового (ns)：5
- Время подъема типового сигнала (нс)：7
- Время задержки отключения типовая (сек)：38
- Время задержки включения типового (ns)：21
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：21.34(Max)
- Ширина пакета：5.21(Max)
- Длина корпуса：16.13(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-247 ISO
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 57
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
