(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTQ88N30P
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 76
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- СВХК：Yes
- Превышает Порог SVHC：Yes
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：PolarHT
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：300
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：88
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：180@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：180
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：6300@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：600000
- Время падения типового (ns)：25
- Время подъема типового сигнала (нс)：24
- Время задержки отключения типовая (сек)：96
- Время задержки включения типового (ns)：25
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Ширина пакета：4.9(Max)
- Длина корпуса：15.8(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Стандартное наименование упаковки：TO-3P
- Поставщикская упаковка：TO-3P
- Форма вывода：Through Hole
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 76
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
