(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTP36N30P
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 1915
- 1+： $3.57100
- 10+： $3.36886
- 100+： $3.17817
- 500+： $2.99828
- 1000+： $2.82856
Zwischensummenbetrag $3.57100
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- HTS：8541.10.00.80
- СВХК：Yes
- Превышает Порог SVHC：Yes
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：300
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±30
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：36
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：70@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：70
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：2250@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：300000
- Время падения типового (ns)：28
- Время подъема типового сигнала (нс)：30
- Время задержки отключения типовая (сек)：97
- Время задержки включения типового (ns)：24
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：9.15(Max)
- Ширина пакета：4.83(Max)
- Длина корпуса：10.66(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-220
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 1915
- 1+： $3.57100
- 10+： $3.36886
- 100+： $3.17817
- 500+： $2.99828
- 1000+： $2.82856
Итого $3.57100
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
