(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTP86N20T
Изображение служит лишь для справки
IXTP86N20T
Lagernummer 306
- 1+： $4.24600
- 10+： $4.00566
- 100+： $3.77893
- 500+： $3.56502
- 1000+： $3.36323
Zwischensummenbetrag $4.24600
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：200
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：86
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：90@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：90
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：4500@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：550000
- Время падения типового (ns)：29
- Время подъема типового сигнала (нс)：24
- Время задержки отключения типовая (сек)：52
- Время задержки включения типового (ns)：22
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：175
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：9.15(Max)
- Ширина пакета：4.83(Max)
- Длина корпуса：10.66(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-220
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：200 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：5 V
- Распад мощности：480 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：Through Hole
- Зарядная характеристика ворот：90 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：29 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：86 A
- Состояние изделия：Active
- Технология：Si
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Канальный тип：N
Со склада 306
- 1+： $4.24600
- 10+： $4.00566
- 100+： $3.77893
- 500+： $3.56502
- 1000+： $3.36323
Итого $4.24600
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
