(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFN110N60P3
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 428
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：600
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±30
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：90
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：245@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：245
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：18000@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：1500000
- Время падения типового (ns)：11
- Время подъема типового сигнала (нс)：19
- Время задержки отключения типовая (сек)：77
- Время задержки включения типового (ns)：63
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Screw
- Высота корпуса：9.6(Max)
- Ширина пакета：25.42(Max)
- Длина корпуса：38.23(Max)
- Плата изменена：4
- Стандартное наименование упаковки：SOT
- Поставщикская упаковка：SOT-227B
- Форма вывода：Screw
- Прямоходящий ток вывода Id：90A
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：4
- Конфигурация：Single Dual Source
- Распад мощности：1.5kW
- Канальный тип：N
Со склада 428
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
