(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTA2R4N120P
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 49
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：1200
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±30
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：2.4
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：37@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：37
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：1207@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：125000
- Время падения типового (ns)：32
- Время подъема типового сигнала (нс)：25
- Время задержки отключения типовая (сек)：70
- Время задержки включения типового (ns)：22
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：4.7(Max)
- Ширина пакета：9.4(Max)
- Длина корпуса：10.41(Max)
- Плата изменена：2
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：D2PAK
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：2.4A
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：125W
- Канальный тип：N
Со склада 49
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
