(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTN200N10L2
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 552
- 1+： $35.57931
- 10+： $33.56539
- 100+： $31.66546
- 500+： $29.87308
- 1000+： $28.18215
Zwischensummenbetrag $35.57931
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- СВХК：Yes
- Превышает Порог SVHC：Yes
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：100
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В)：4.5
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：178
- Максимальный стоковый ток через затвор (нА)：200
- Максимальный стоковый ток (мкА)：10
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：540@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：540
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：23000@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：830000
- Время падения типового (ns)：27
- Время подъема типового сигнала (нс)：225
- Время задержки отключения типовая (сек)：127
- Время задержки включения типового (ns)：40
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Screw
- Высота корпуса：9.6(Max)
- Ширина пакета：25.42(Max)
- Длина корпуса：38.23(Max)
- Плата изменена：4
- Поставщикская упаковка：SOT-227
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：178A
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：4
- Конфигурация：Single Dual Source
- Распад мощности：830W
- Канальный тип：N
Со склада 552
- 1+： $35.57931
- 10+： $33.56539
- 100+： $31.66546
- 500+： $29.87308
- 1000+： $28.18215
Итого $35.57931
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
