(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTP80N10T
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 7970
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：Unknown
- Пакет подготовки для производства：Unknown
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：100
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：80
- Максимальное сопротивление источника тока (мОм)：14@10V
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：60@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：60
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：3040@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：230000
- Время падения типового (ns)：48
- Время подъема типового сигнала (нс)：54
- Время задержки отключения типовая (сек)：40
- Время задержки включения типового (ns)：31
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：175
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：9.15(Max)
- Ширина пакета：4.83(Max)
- Длина корпуса：10.66(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-220
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 7970
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
