(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы AONR62818
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 21
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerWDFN
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：8-DFN-EP (3.3x3.3)
- Количество терминалов：5
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Евро РОШ：Compliant
- Автомобильные：Unknown
- Пакет подготовки для производства：Unknown
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：0.75(Max)
- Ширина пакета：3.3
- Длина корпуса：3.3
- Плата изменена：8
- Поставщикская упаковка：DFN EP
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Основной номер продукта：AONR628
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：18A (Ta), 50A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Максимальная мощность рассеяния：4.1W (Ta), 54W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：AONR62818
- Форма упаковки：SQUARE
- Производитель：Alpha & Omega Semiconductor
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
- Ранг риска：1.74
- Максимальный ток утечки (ID)：50 A
- Пакетирование：Tape and Reel
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：AlphaSGT™
- Состояние изделия：Active
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：NO LEAD
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：8
- Код JESD-30：S-PDSO-N5
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6.6mOhm @ 18A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.3V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2420 pF @ 40 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：48 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：80 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：50 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0066 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：175 A
- Минимальная напряжённость разрушения：80 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：88 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：54 W
- Характеристика ТРП：-
Со склада 21
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
