(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы GKI04101
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：TMOS
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：40
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В)：2.5
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：9
- Максимальный стоковый ток через затвор (нА)：100
- Максимальный стоковый ток (мкА)：100
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：5.1@4.5V|13.3@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：13.3
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：990@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：3100
- Время падения типового (ns)：4.7
- Время подъема типового сигнала (нс)：2.2
- Время задержки отключения типовая (сек)：9.6
- Время задержки включения типового (ns)：1.6
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Состояние изделия：Active
- Конфигурация：Single Quad Drain Triple Source
- Канальный тип：N
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
