(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MDF10N60BTH
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：Unknown
- Пакет подготовки для производства：Unknown
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：600
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±30
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В)：4
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：10
- Максимальный стоковый ток через затвор (нА)：100
- Максимальный стоковый ток (мкА)：1
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：28.1@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：28.1
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：1409@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：48000
- Время падения типового (ns)：39
- Время подъема типового сигнала (нс)：35
- Время задержки отключения типовая (сек)：116
- Время задержки включения типового (ns)：23
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：16.13(Max)
- Ширина пакета：4.93(Max)
- Длина корпуса：10.71(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Стандартное наименование упаковки：TO-220
- Поставщикская упаковка：TO-220F
- Форма вывода：Through Hole
- Пакетирование：Tube
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
