(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFN120N65X2
Изображение служит лишь для справки
IXFN120N65X2
Lagernummer 549
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SOT-227-4
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：650
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±30
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：108
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：240@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：240
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：14000@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：890000
- Время падения типового (ns)：12
- Время подъема типового сигнала (нс)：26
- Время задержки отключения типовая (сек)：82
- Время задержки включения типового (ns)：39
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Screw
- Высота корпуса：9.6(Max)
- Ширина пакета：25.42(Max)
- Длина корпуса：38.23(Max)
- Плата изменена：4
- Стандартное наименование упаковки：SOT
- Поставщикская упаковка：SOT-227B
- Форма вывода：Screw
- Прямоходящий ток вывода Id：108A
- Время типичного задержки включения：64 ns
- Распад мощности：890 W
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：Screw Mounts
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：24 mOhms
- Время задержки отключения типичного：86 ns
- Серия：650V Ultra Junction X2
- Состояние изделия：Active
- Тип：HiperFET
- Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
- Технология：Si
- Число контактов：4
- Конфигурация：Single Dual Source
- Распад мощности：890W
- Время подъема：23 ns
- Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
- Канальный тип：N
- Продукт：Power MOSFET Modules
Со склада 549
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
