Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы AONS66916
Изображение служит лишь для справки
AONS66916
- Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerSMD, Flat Leads
- Date Sheet
Lagernummer 2786
- 1+: $3.75098
- 10+: $3.53866
- 100+: $3.33836
- 500+: $3.14939
- 1000+: $2.97113
Zwischensummenbetrag $3.75098
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerSMD, Flat Leads
- Поставщик упаковки устройства:8-DFN (5x6)
- Евро РОШ:Compliant with Exemption
- ЭККН (США):EAR99
- HTS:8541.29.00.95
- СВХК:Yes
- Превышает Порог SVHC:Yes
- Автомобильные:No
- Пакет подготовки для производства:No
- Категория:Power MOSFET
- Технология производства:Trench Power AlphaSGT
- Режим канала:Enhancement
- Число элементов на чипе:1
- Максимальное напряжение источника тока (В):100
- Максимальное напряжение источника транзистора (В):±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А):30
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC):67@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк):67
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ):5325@50V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт):6200
- Время падения типового (ns):10
- Время подъема типового сигнала (нс):7
- Время задержки отключения типовая (сек):30
- Время задержки включения типового (ns):18
- Минимальная температура работы (°C):-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C):150
- Монтаж:Surface Mount
- Высота корпуса:0.95(Max)
- Ширина пакета:5.55
- Длина корпуса:5.2
- Плата изменена:8
- Стандартное наименование упаковки:DFN
- Поставщикская упаковка:DFN EP
- Форма вывода:No Lead
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Основной номер продукта:AONS669
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:100A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):6V, 10V
- Mfr:Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Максимальная мощность рассеяния:215W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Пакетирование:Tape and Reel
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:AlphaSGT™
- Состояние изделия:Active
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Число контактов:8
- Конфигурация:Single Quad Drain Triple Source
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3.6mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3.6V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:5325 pF @ 50 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:95 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):100 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Канальный тип:N
- Характеристика ТРП:-
Со склада 2786
- 1+: $3.75098
- 10+: $3.53866
- 100+: $3.33836
- 500+: $3.14939
- 1000+: $2.97113
Итого $3.75098