(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DATA-ATE-JANS2N7616UBR
Изображение служит лишь для справки
DATA-ATE-JANS2N7616UBR
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Not Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：CMOS
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：60
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±10
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：0.8
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：3.6(Max)@4.5V
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：166@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：600
- Время падения типового (ns)：13(Max)
- Время подъема типового сигнала (нс)：24(Max)
- Время задержки отключения типовая (сек)：30(Max)
- Время задержки включения типового (ns)：8(Max)
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：125
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：1.42(Max)
- Ширина пакета：2.74(Max)
- Длина корпуса：3.25(Max)
- Плата изменена：4
- Стандартное наименование упаковки：Module
- Поставщикская упаковка：Case UB
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：4
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
