(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IRHNJ57230SESCS
Изображение служит лишь для справки
IRHNJ57230SESCS
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Евро РОШ：Supplier Unconfirmed
- Максимальное напряжение источника тока (В)：200
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：12
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：750000
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：2.61(Max)
- Ширина пакета：10.28(Max)
- Длина корпуса：7.64(Max)
- Плата изменена：3
- Поставщикская упаковка：SMD-0.5
- Описание пакета：HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD0.5, 3 PIN
- Форма упаковки：CHIP CARRIER
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：IRHNJ57230SESCS
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.32
- Максимальный ток утечки (ID)：12 A
- Код JESD-609：e0
- Состояние изделия：Active
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-CBCC-N3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.22 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：48 A
- Минимальная напряжённость разрушения：200 V
- Канальный тип：N
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：60 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
