(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы 2N7261JANSR
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Not Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.50.00.80
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：HEXFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：100
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：8
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：50(Max)@12V
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：1100@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：25000
- Время падения типового (ns)：40(Max)
- Время подъема типового сигнала (нс)：32(Max)
- Время задержки отключения типовая (сек)：40(Max)
- Время задержки включения типового (ns)：25(Max)
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Поставщикская температура классификация：Military
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：4.54(Max)
- Плата изменена：3
- Стандартное наименование упаковки：TO-205-AF
- Поставщикская упаковка：TO-39
- Форма вывода：Through Hole
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
- Диаметр：9.22(Max)
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
