Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Материал:Silicon
  • Евро РОШ:Compliant
  • ЭККН (США):EAR99
  • Автомобильные:No
  • Пакет подготовки для производства:No
  • Тип фототранзистора:Phototransistor
  • Форма линзы:Domed
  • Каналов на чипе:1
  • Угол половины интенсивности градусы:24
  • Ориентация просмотра:Top View
  • Максимальная длина волны (нм):860
  • Максимальное время подъёма (нс):6000/7000
  • Максимальное время падения (нс):6000/7000
  • Максимальный ток света (мкА):2800/4500
  • Максимальный ток коллектора (мА):15
  • Максимальный ток темного заряда (нА):200
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия (В):35
  • Максимальное напряжение насыщения коллектора-эммитера (В):0.2
  • Максимальная мощность рассеяния (мВт):165
  • Технология производства:NPN Transistor
  • Минимальная температура работы (°C):-40
  • Максимальная температура эксплуатации (°C):100
  • Монтаж:Through Hole
  • Высота корпуса:5.2(Max)
  • Плата изменена:2
  • Поставщикская упаковка:T-1
  • Форма вывода:Through Hole
  • Состояние изделия:Unconfirmed
  • Тип:Chip
  • Число контактов:2
  • Направленность:NPN
  • Диаметр:4(Max)

Со склада 0

Итого $0.00000