(0)
Изображение служит лишь для справки
1KSMB39CAR4G
-
Taiwan Semiconductor
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- R-PDSO-C2
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал диодного элемента：SILICON
- Количество терминалов：2
- Артикул Производителя：1KSMB39CAR4G
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
- Описание пакета：R-PDSO-C2
- Ранг риска：5.31
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Максимальная мощность рассеяния：5 W
- Максимальная температура рефлоу：30
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
- Код ТН ВЭД：8541.10.00.50
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：C BEND
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-C2
- Направленность：BIDIRECTIONAL
- Конфигурация：SINGLE
- Тип диода：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
- Максимальное обратное напряжение：33.3 V
- Код JEDEC-95：DO-214AA
- Максимальная мощность разрядки：1000 W
- Минимальная напряжение разрушения：37.1 V
- Максимальная напряжённость разрушения：41 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
