Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
11N90L-T3P-T
-
Unisonic
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:11N90L-T3P-T
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Ранг риска:5.64
- Максимальный ток утечки (ID):11 A
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Время отключения макс. (toff):650 ns
- Время включения макс. (ton):460 ns
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):11 A
- Сопротивление открытого канала-макс:1.1 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:44 A
- Минимальная напряжённость разрушения:900 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):1000 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):215 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):25 pF
Со склада 0
Итого $0.00000