Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
IS43TR16640B-125KBL
-
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
-
Разъемы памяти - Аксессуары
- 96-TFBGA
- 1G, 1.5V, Ddr3, 64Mx16, 1600Mt/s @ 11-11-11, 96 Ball Bga (9Mm X13Mm) Rohs
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:6 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:96-TFBGA
- Поставщик упаковки устройства:96-TWBGA (9x13)
- Количество терминалов:96
- Артикул Производителя:IS43TR16640B-125KBL
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:End Of Life
- Производитель IHS:INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
- Описание пакета:TFBGA,
- Ранг риска:6.41
- Количество слов:67108864 words
- Количество кодовых слов:64000000
- Температура работы-Макс:85 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код пакета:TFBGA
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
- Номинальное напряжение питания (Вн):1.5 V
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Пакет:Tray
- Основной номер продукта:IS43TR16640
- Mfr:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Состояние продукта:Obsolete
- Типы памяти:Volatile
- Рабочая температура:0°C ~ 95°C (TC)
- Серия:Automotive, AEC-Q100
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:AUTO/SELF REFRESH
- Код ТН ВЭД:8542.32.00.32
- Напряжение - Питание:1.425V ~ 1.575V
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Количество функций:1
- Шаг выводов:0.8 mm
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PBGA-B96
- Напряжение питания максимальное (Vпит):1.575 V
- Градация температуры:OTHER
- Напряжение питания минимальное (Vпит):1.425 V
- Размер памяти:1Gbit
- Количество портов:1
- Режим работы:SYNCHRONOUS
- Частота часов:800 MHz
- Время доступа:20 ns
- Формат памяти:DRAM
- Интерфейс памяти:Parallel
- Организация:64MX16
- Максимальная высота посадки:1.2 mm
- Ширина памяти:16
- Время цикла записи - слово, страница:15ns
- Плотность памяти:1073741824 bit
- Тип микросхемы памяти:DDR DRAM
- Режим доступа:MULTI BANK PAGE BURST
- Автоперезапись:YES
- Организация памяти:64M x 16
- Длина:13 mm
- Ширина:9 mm
Со склада 0
Итого $0.00000