(0)
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：15 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：DMG1023UV-7
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：DIODES INC
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
- Ранг риска：1.61
- Описание Samacsys：Diodes Inc DMG1023UV-7 Dual P-channel MOSFET Transistor, 0.68 A, -20 V, 6-Pin SOT-563
- Максимальный ток утечки (ID)：1.03 A
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Количество элементов：2
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：6
- Код JESD-30：R-PDSO-F6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：1.03 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.75 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.53 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
