(0)
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：STGD5NB120SZT4
- Код цикла жизни компонента：Not Recommended
- Производитель IHS：STMICROELECTRONICS
- Код упаковки компонента：TO-252AA
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Ранг риска：7.02
- Описание Samacsys：STMicroelectronics STGD5NB120SZT4, IGBT Transistor, 10 A 1200 V, 3-Pin DPAK
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Максимальная температура рефлоу：30
- Время отключения (toff)：14100 ns
- Время включения (тон)：850 ns
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Название бренда：STMicroelectronics
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-252AA
- Максимальная потеря мощности (абс.)：55 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：10 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1200 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：5 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
