Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2N6650
Изображение служит лишь для справки
2N6650
- Microchip
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-204AA, TO-3
- Trans Darlington PNP 80V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3
- Date Sheet
Lagernummer 6
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 1 month ago)
- Поверхностный монтаж:NO
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-204AA, TO-3
- Количество контактов:3
- Поставщик упаковки устройства:TO-204AA (TO-3)
- Артикул Производителя:2N6650
- Код цикла жизни компонента:Contact Manufacturer
- Производитель IHS:MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP
- Описание пакета:,
- Ранг риска:5.08
- Температура работы-Макс:150 °C
- Траниционный частотный предел (fT):20 MHz
- РХОС:Compliant
- Пакет:Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic):10 A
- Основной номер продукта:2N6650
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Active
- Пакетная партия производителя:1
- Бренд:Microchip Technology
- Рабочая температура:-65°C ~ 175°C (TJ)
- Серия:-
- Пакетирование:Tray
- Код соответствия REACH:unknown
- Конфигурация:DARLINGTON
- Конфигурация элемента:Single
- Мощность - Макс:5 W
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип продукта:Darlington Transistors
- Тип транзистора:PNP - Darlington
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):80 V
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:1000 @ 5A, 3V
- Ток - отсечка коллектора (макс):1mA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:3V @ 100µA, 10A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):80 V
- Частота - Переход:-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):80 V
- Максимальная потеря мощности (абс.):100 W
- Максимальный ток коллектора (IC):10 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):1000
- Категория продукта:Darlington Transistors
- Корпусировка на излучение:No
Со склада 6
Итого $0.00000