(0)
Изображение служит лишь для справки
APT12057JFLL
-
Microchip
-
Интегральные схемы (ИС)
- SOT-227-4, miniBLOC
- FREDFET MOS7 1200 V 57 Ohm ISOTOP ISOTOP SOT-227 (J) Tube RoHS Compliant: Yes
Date Sheet
Lagernummer 6
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Поверхностный монтаж：NO
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：SOT-227-4, miniBLOC
- Монтаж：Chassis Mount, Screw
- Количество контактов：4
- Поставщик упаковки устройства：ISOTOP®
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：APT12057JFLL
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Код упаковки компонента：ISOTOP
- Описание пакета：ISOTOP-4
- Код упаковки производителя：ISOTOP
- Ранг риска：1.81
- Максимальный ток утечки (ID)：19 A
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Пакет：Tube
- Основной номер продукта：APT12057
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：19A (Tc)
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Расписание В：8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
- Номинальное напряжение (постоянное)：1.2 kV
- РХОС：Compliant
- Время отключения：36 ns
- Серия：POWER MOS 7®
- Безоловая кодировка：Yes
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Максимальная потеря мощности：520 W
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Моментальный ток：19 A
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PUFM-X4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：520 W
- Сокетная связка：ISOLATED
- Время задержки включения：11 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：570mOhm @ 9.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 2.5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5155 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：185 nC @ 10 V
- Время подъема：18 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200 V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：19 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30 V
- Максимальный сливовой ток (ID)：19 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.57 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：76 A
- Входной ёмкости：5.155 nF
- Минимальная напряжённость разрушения：1200 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：3000 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：520 W
- Характеристика ТРП：-
- Rds на макс.：570 mΩ
- Корпусировка на излучение：No
- Без свинца：Lead Free
Со склада 6
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
