Изображение служит лишь для справки
HB52F649E1-75B
- HITACHI
- Интегральные схемы (ИС)
- -
- DIMM, DIMM168
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:168
- Артикул Производителя:HB52F649E1-75B
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:HITACHI LTD
- Код упаковки компонента:DIMM
- Описание пакета:DIMM, DIMM168
- Ранг риска:5.84
- Время доступа-максимум:6.3 ns
- Частота часовного генератора макс. (fCLK):133 MHz
- Количество слов:67108864 words
- Количество кодовых слов:64000000
- Температура работы-Макс:55 °C
- Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
- Код пакета:DIMM
- Код эквивалентности пакета:DIMM168
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
- Номинальное напряжение питания (Вн):3.3 V
- Код ECCN:EAR99
- Код ТН ВЭД:8542.32.00.36
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:NO LEAD
- Количество функций:1
- Шаг выводов:1.27 mm
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:168
- Код JESD-30:R-XDMA-N168
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит):3.6 V
- Блоки питания:3.3 V
- Градация температуры:COMMERCIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит):3 V
- Количество портов:1
- Режим работы:SYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи:4.655 mA
- Организация:64MX72
- Характеристики выдачи:3-STATE
- Ширина памяти:72
- Ток ожидания-макс:0.731 A
- Плотность памяти:4831838208 bit
- Тип ввода/вывода:COMMON
- Тип микросхемы памяти:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
- Обновляющие циклы:8192
- Режим доступа:SINGLE BANK PAGE BURST
Со склада 0
Итого $0.00000