Изображение служит лишь для справки
JANTX2N3634
- Microchip
- Интегральные схемы (ИС)
- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Trans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
- Date Sheet
Lagernummer 31
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Поставщик упаковки устройства:TO-39 (TO-205AD)
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:JANTX2N3634
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Код упаковки компонента:BCY
- Описание пакета:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Ранг риска:1.47
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:175 °C
- Материал корпуса пакета:METAL
- Форма упаковки:ROUND
- Форма упаковки:CYLINDRICAL
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Траниционный частотный предел (fT):150 MHz
- Время отключения макс. (toff):650 ns
- Время включения макс. (ton):200 ns
- Пакетная партия производителя:1
- Бренд:Microchip / Microsemi
- РХОС:N
- Пакет:Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic):1 A
- Основной номер продукта:2N3634
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Active
- Пакетирование:Bulk
- Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
- Серия:Military, MIL-PRF-19500/357
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Технология:Si
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:WIRE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:2
- Нормативная Марка:MIL-19500/357H
- Код JESD-30:O-MBCY-W3
- Квалификационный Статус:Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Мощность - Макс:1 W
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора:PNP
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:50 @ 50mA, 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):10µA
- Код JEDEC-95:TO-39
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:600mV @ 5mA, 50mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):140 V
- Частота - Переход:-
- Максимальная потеря мощности (абс.):1 W
- Максимальный ток коллектора (IC):1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):30
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:140 V
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
Со склада 31
Итого $0.00000