(0)
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал диодного элемента：SILICON
- Количество терминалов：2
- Максимальная мощность рассеяния：0.4 W
- Форма упаковки：LONG FORM
- Форма упаковки：ROUND
- Материал корпуса пакета：GLASS
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Температура работы-Макс：150 °C
- Количество элементов：1
- Ранг риска：5.55
- Описание пакета：O-LALF-W2
- Код упаковки компонента：DO-7
- Производитель IHS：KNOX SEMICONDUCTORS INC
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Артикул Производителя：V7B
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Дополнительная Характеристика：LOW LEAKAGE
- Код ТН ВЭД：8541.10.00.80
- Положение терминала：AXIAL
- Форма вывода：WIRE
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：2
- Код JESD-30：O-LALF-W2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Тип диода：VARIABLE CAPACITANCE DIODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Максимальное обратное напряжение：28 V
- Максимальный обратный ток：1e-7 µA
- Минимальная напряжение разрушения：28 V
- Обратная тестовая напряжение：25 V
- Диод Капацитирующий-Ном：7 pF
- Диод Кап Допуск：5%
- Коэффициент качества-Мин：13
- Соотношение минимальной диодной ёмкости：4.1
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
