Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
BN1F4M
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:BN1F4M
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:NEC ELECTRONICS CORP
- Описание пакета:IN-LINE, R-PSIP-T3
- Ранг риска:5.38
- Количество элементов:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:IN-LINE
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Время отключения макс. (toff):3500 ns
- Время включения макс. (ton):500 ns
- Код JESD-609:e0
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Дополнительная Характеристика:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:PNP
- Максимальный ток коллектора (IC):0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):90
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:50 V
Со склада 0
Итого $0.00000