Изображение служит лишь для справки
IRLL014N
- International Rectifier
- Неклассифицированные
- -
- MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-223
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Максимальная температура рефлоу:30
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:IRLL014N
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:International Rectifier
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Ранг риска:7.71
- Максимальный ток утечки (ID):2 A
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):245
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-261AA
- Максимальный сливовой ток (ID):2.8 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.14 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:16 A
- Минимальная напряжённость разрушения:55 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):32 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):2.1 W
Со склада 0
Итого $0.00000