Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:4
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Уровни чувствительности к влажности:1
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Максимальная температура рефлоу:30
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Рохс Код:No
  • Артикул Производителя:IRLL014N
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:International Rectifier
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Obsolete
  • Производитель IHS:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
  • Ранг риска:7.71
  • Максимальный ток утечки (ID):2 A
  • Код JESD-609:e0
  • Безоловая кодировка:No
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
  • Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
  • Подкатегория:FET General Purpose Power
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):245
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Код JESD-30:R-PDSO-G4
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-261AA
  • Максимальный сливовой ток (ID):2.8 A
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.14 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:16 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:55 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):32 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):2.1 W

Со склада 0

Итого $0.00000