Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные PBHV8110DA-AU_R1_000A1
Изображение служит лишь для справки
PBHV8110DA-AU_R1_000A1
- Panjit
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- CSON
- Bipolar Transistors - BJT NPN Low Vce(sat) Transistor
- Date Sheet
Lagernummer 5475
- 1+: $0.17860
- 10+: $0.16849
- 100+: $0.15896
- 500+: $0.14996
- 1000+: $0.14147
Zwischensummenbetrag $0.17860
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:CSON
- Вид крепления:Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства:SOT-23
- Глубина продукта (мм):5(mm)
- Диапазон рабочей температуры:-20C to 70C
- Квантовозащитный:No
- Квалификация:AEC-Q101
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:6 V
- Распад мощности:1.25 W
- Полярность транзистора:NPN
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:100 at 500 mA, 5 V
- Вес единицы:0.000296 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:3000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:100 MHz
- Производитель:Panjit
- Бренд:Panjit
- Максимальный постоянный ток сбора:1 A
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:300 at 500 mA, 5 V
- РХОС:Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:100 V
- Пакет:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Максимальный коллекторный ток (Ic):1 A
- Mfr:Panjit International Inc.
- Состояние продукта:Active
- Уровень применения:Commercial grade
- Пакетирование:MouseReel
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:-
- Подкатегория:Transistors
- Технология:Si
- Конфигурация:Single
- Мощность - Макс:1.25 W
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора:NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:140 @ 150mA, 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:450mV @ 100mA, 1A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):100 V
- Уровень фильтрации:Commercial
- Частота - Переход:100MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):120 V
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
- Длина продукта (мм):7(mm)
- Высота продукта (мм):1.4(mm)
Со склада 5475
- 1+: $0.17860
- 10+: $0.16849
- 100+: $0.15896
- 500+: $0.14996
- 1000+: $0.14147
Итого $0.17860