(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPB035N08N3GXT
Изображение служит лишь для справки
IPB035N08N3GXT
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：18 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Прямоходящий ток вывода Id：100
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：175 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：IPB035N08N3GXT
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.76
- Максимальный ток утечки (ID)：100 A
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-263AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0035 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：400 A
- Минимальная напряжённость разрушения：80 V
- Канальный тип：N
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：510 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
