Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BC847BVNT/R
Изображение служит лишь для справки
BC847BVNT/R
-
NXP
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 6-Pin SS-Mini T/R
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Количество контактов：6
- Пакет：Bulk
- Mfr：PEI-Genesis
- Состояние продукта：Active
- Минимальная частота работы в герцах：200
- Количество элементов：2
- Номинальное напряжение (постоянное)：45 V
- РХОС：Compliant
- Серия：*
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Максимальная потеря мощности：300 mW
- Моментальный ток：100 mA
- Частота：100 MHz
- Направленность：NPN, PNP
- Конфигурация элемента：Dual
- Распад мощности：200 mW
- Продуктивность полосы частот：100 MHz
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：45 V
- Максимальный ток сбора：100 mA
- Максимальная частота：100 MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5 V
- Прямоходящий ток коллектора：100 mA
- Корпусировка на излучение：No
- Без свинца：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты