Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PMV50EPEAR
Изображение служит лишь для справки
PMV50EPEAR
-
NXP
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- Bead, Epoxy
- PMV50EPEA - 30 V, P-CHANNEL TREN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Free Hanging
- Корпус / Кейс：Bead, Epoxy
- Поставщик упаковки устройства：SOT-23
- Пакет：Bulk
- Mfr：Eaton - Electronics Division
- Длина - Провода питания：0.26 (6.50mm)
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.2A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：310mW (Ta), 455mW (Tc)
- Рабочая температура：-40°C ~ 125°C
- Серия：NRNE
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс：150 mW
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：45mOhm @ 4.2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：793 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：19.2 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Номинальная точность резистора：±1%
- Характеристика ТРП：-
- Допуск коэффициента B：±2%
- Температурный предел：3935K
- Температурный предел：-
- Температурный предел：-
- Б25/75：-
- Базовая частота / 50 Ом：-
- Омный сопротивление @ 25°C：1.5k
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты