Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT60M75JVFR
Изображение служит лишь для справки
APT60M75JVFR
-
Microchip
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- Axial
- Trans MOSFET N-CH 600V 62A 4-Pin SOT-227
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：Axial
- Монтаж：Chassis Mount, Screw
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：4
- Поставщик упаковки устройства：Axial
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：1
- Номинальное напряжение (постоянное)：600 V
- РХОС：Compliant
- Описание пакета：ISOTOP-4
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя：ISOTOP
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：APT60M75JVFR
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Microsemi Corporation
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Ранг риска：5.65
- Код упаковки компонента：ISOTOP
- Максимальный ток утечки (ID)：62 A
- Рабочая температура：-65°C ~ 175°C
- Серия：Military, MIL-R-10509/1, RN60
- Пакетирование：Bulk
- Размер / Размерность：0.145 Dia x 0.344 L (3.68mm x 8.74mm)
- Допуск：±0.1%
- Безоловая кодировка：Yes
- Состояние изделия：Active
- Количество выводов：2
- Коэффициент температурной зависимости：±25ppm/°C
- Сопротивление：205 kOhms
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Состав：Metal Film
- Мощность (ватт)：0.25W, 1/4W
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE ENERGY RATED
- Максимальная потеря мощности：700 W
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Моментальный ток：62 A
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PUFM-X4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Срок службы：--
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：700 W
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：SWITCHING
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：62 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30 V
- Сопротивление открытого канала-макс：0.075 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：248 A
- Входной ёмкости：19.8 nF
- Минимальная напряжённость разрушения：600 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：3600 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Rds на макс.：75 mΩ
- Характеристики：Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety
- Высота сидения (макс.)：--
- Корпусировка на излучение：No
- Без свинца：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты