(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RF4G060ATTCR
Изображение служит лишь для справки
RF4G060ATTCR
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- DFN2020-8S
- Transistor MOSFET P-Channel -40V ±6A 8-Pin DFN2020-8S T/R
Date Sheet
Lagernummer 12168275
- 1+： $0.34644
- 10+： $0.32683
- 100+： $0.30833
- 500+： $0.29088
- 1000+： $0.27441
Zwischensummenbetrag $0.34644
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：DFN2020-8S
- Поставщик упаковки устройства：HUML2020L8
- Число элементов на чипе：1
- Формат упаковки：DFN2020
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：6A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
- Время типичного задержки включения：9.5 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1 V
- Распад мощности：2 W
- Полярность транзистора：P-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 10 V, + 10 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Зарядная характеристика ворот：17.2 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：40 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：83 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：6 A
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：2W (Ta)
- Состояние продукта：Active
- Пакетирование：Cut Tape
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Серия：-
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Число контактов：8
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：2W
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：40mOhm @ 6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：880 pF @ 20 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：17.2 nC @ 10 V
- Время подъема：18 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 P - Channel
- Канальный тип：P
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 12168275
- 1+： $0.34644
- 10+： $0.32683
- 100+： $0.30833
- 500+： $0.29088
- 1000+： $0.27441
Итого $0.34644
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
